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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订2000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订2000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560A60Y,S4X 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560A60Y,S4X 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560A60Y,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@240µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007END3TL1

    输入电容:390pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    功率:78W

    栅极电荷:20nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:679pF@400V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4.5V@140µA

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1

    阈值电压:3.5V@200µA

    类型:N沟道

    功率:28W

    包装方式:管件

    栅极电荷:20.5nC@10V

    导通电阻:650mΩ@2.4A,10V

    输入电容:440pF@100V

    漏源电压:600V

    工作温度:-40℃~150℃

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD7S60 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD7S60 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD7S60

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    栅极电荷:8.2nC@10V

    漏源电压:600V

    阈值电压:3.9V@250µA

    输入电容:372pF@100V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@240µA

    类型:N沟道

    功率:60W

    栅极电荷:14.5nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007END3TL1

    输入电容:390pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    功率:78W

    栅极电荷:20nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:679pF@400V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4.5V@140µA

    功率:43W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"19+":3125}

    规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:679pF@400V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4.5V@140µA

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCI7N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCI7N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCI7N60

    功率:83W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007KNJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007KNJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007KNJTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:78W

    栅极电荷:14.5nC@10V

    漏源电压:600V

    阈值电压:5V@1mA

    输入电容:470pF@25V

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007END3TL1

    输入电容:390pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    功率:78W

    栅极电荷:20nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@2.4A,10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    功率:31W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360CFD7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:679pF@400V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4.5V@140µA

    功率:43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@200µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHU7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@400V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STP9NK60Z 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP9NK60Z 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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