采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
