采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
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漏源电压：1700V
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规格型号(MPN)：APT7F120S
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功率：335W
阈值电压：5V@1mA
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输入电容：2565pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
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规格型号(MPN)：MSC750SMA170B4
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工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
包装方式：管件
阈值电压：5V@1mA
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：MSC750SMA170B4
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功率：68W
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类型：N沟道
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功率：68W
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类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
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包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
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栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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