采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7NC65CF C0G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.169nF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7P06CP ROG
工作温度：150℃
功率：15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TSM7NC65CF C0G
类型：1个N沟道
输入电容：1.169nF@50V
漏源电压：650V
功率：44.6W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.35Ω@2A，10V
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
