采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：263pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14208}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2756GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14208}
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规格型号(MPN)：UPA2756GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD4S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.1V@250µA
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：263pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2A，10V
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规格型号(MPN)：AOD4S60
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阈值电压：4.1V@250µA
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：263pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2A，10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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