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    连续漏极电流
    4A
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    连续漏极电流: 4A
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
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    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订500个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订500个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4286

    功率:2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:68mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订1000个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8010 起订1000个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8010

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@500mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4286

    功率:2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:68mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4286 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4286

    功率:2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:68mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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