首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    连续漏极电流: 4A
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订55个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订55个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3402-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP161A1265PR-G 起订4个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP161A1265PR-G 起订4个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP161A1265PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K4P7SATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K4P7SATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R1K4P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.2W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:158pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@700mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NYTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NYTB

    工作温度:175℃

    功率:44W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3053L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:676pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3402 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06L 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06L 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3418L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464.3pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C 起订32个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C 起订32个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32338C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧