采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
功率：44.6W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1736
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：7V@450μA
栅极电荷：10.5nC@15V
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
