采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.625nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3518TRPBF-JSM
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3518TRPBF-JSM
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2910STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@29A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT095N10D5
功率：74W
阈值电压：1.8V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
