采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：340pF@10V
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
输入电容：950pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
输入电容：950pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
功率：960mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1173pF@4V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
输入电容：950pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
输入电容：950pF@25V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：340pF@10V
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P20TM
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
导通电阻：1.4Ω@1.85A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
功率：2.5W€45W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1612
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
功率：960mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1173pF@4V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
输入电容：950pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
功率：960mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1173pF@4V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1023PZ
输入电容：655pF@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：72mΩ@3.7A，4.5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：340pF@10V
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ371PZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1000pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：75mΩ@2A，4.5V
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：227870，"21+"：291000，"MI+"：12500}
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：340pF@10V
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
功率：960mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1173pF@4V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：72mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：72mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ-F021
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
