品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IXFK250N10P
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
栅极电荷:205nC@10V
阈值电压:5V@1mA
漏源电压:100V
功率:1250W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
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连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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