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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3670

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2490pF@50V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB32N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9635-55A,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9635-55A,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9635-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STO67N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STO67N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STO67N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:72.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7240-100A,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7240-100A,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7240-100A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2293pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1043pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1043pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y30-75B,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y30-75B,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y30-75B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@15A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y30-75B,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y30-75B,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y30-75B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@15A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6366E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y27-40B,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y27-40B,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59.4W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:959pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订1600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订1600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB32N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y25-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1043pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STO67N60M6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STO67N60M6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STO67N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:72.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y27-40B,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y27-40B,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59.4W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:959pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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