采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：104W
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输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
漏源电压：60V
输入电容：1680pF@25V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：150℃
功率：104W
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连续漏极电流：34A
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品牌：Taiwan Semiconductor
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
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导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：104W
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：104W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
漏源电压：60V
输入电容：1680pF@25V
导通电阻：23mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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