采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG80N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG80N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
连续漏极电流：80A
包装方式：Reel
栅极电荷：25nC
漏源电压：80V
阈值电压：2V
导通电阻：6.7mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
连续漏极电流：80A
包装方式：Reel
栅极电荷：25nC
漏源电压：80V
阈值电压：2V
导通电阻：6.7mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
连续漏极电流：80A
包装方式：Reel
栅极电荷：25nC
漏源电压：80V
阈值电压：2V
导通电阻：6.7mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
功率：3.7W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
