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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
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功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
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输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
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输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
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功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2303
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：25pF@15V
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
输入电容：352pF@15V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
ECCN：EAR99
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2303
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：25pF@15V
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2303
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：25pF@15V
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2303
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：25pF@15V
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
