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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订1105个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订1105个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1820,"20+":1940,"22+":4241,"23+":11785}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订1个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订1个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2212

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:407pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订2500个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订2500个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2212

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:407pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订1000个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订1000个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2016C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订1000个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订1000个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2212

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:407pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2212

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:407pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2016C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2212 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2212

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:407pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY18P10T 起订70个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY18P10T 起订70个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2016C 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2016C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@11A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU18P10Y-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU18P10Y-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU18P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@80V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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