品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PW,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:230mW
阈值电压:1V@250A
栅极电荷:500pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT7G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PW,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT7G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
导通电阻:10Ω@5V,250mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:85pF@25V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: