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    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流: 320mA
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,300mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    栅极电荷:500pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订300000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订300000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,300mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    导通电阻:10Ω@5V,250mA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:320mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:85pF@25V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1.5V@1mA

    功率:2W

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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