采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，S)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，S)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.37nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，S)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6018VNXC7G
功率：61W
阈值电压：6.5V@600μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.25nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：204mΩ@4A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，S)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，S)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.37nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569
功率：45W
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
导通电阻：750mΩ@10V，5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
