品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK210P10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04kW
阈值电压:4.5V
栅极电荷:740nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:210A
类型:MOSFET
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":323}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4194,"23+":2187}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX210P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:740nC@10V
包装方式:管件
输入电容:69500pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@105A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA210N10S5N024AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:3.8V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8696pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: