品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
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功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
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阈值电压:2V@250µA
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输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
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输入电容:2164pF@25V
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导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.7W€79W
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功率:3.7W€79W
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连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
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