采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3541FS8T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3541FS8T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002M3T5G
功率：150mW
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS138WT1G
功率：150mW
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3019FP8TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@5V
导通电阻：7Ω@2.5V，1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS138WT1G
功率：150mW
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS138WT1G
功率：150mW
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002M3T5G
功率：150mW
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS138WT1G
功率：150mW
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@5V，200mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1L002SNMGTL
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSK3019FP8TL
反向传输电容：4pF@5V
功率：150mW
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
类型：1个N沟道
输入电容：13pF@5V
导通电阻：7Ω@2.5V，1mA
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-01-F
功率：150mW
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
