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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60U(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：5V@1mA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ331N25TL
功率：1.56W€211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.5nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047KNZ4C13
功率：481W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：100nC@10V
输入电容：4.3nF@25V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNZC17
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U080AAFRATL
功率：85W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.44nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
