品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60U(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:5V@1mA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC390CH C5G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:818pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNZC17
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:27.5nC@10V
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011KNXC7G
功率:53W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
功率:60W
输入电容:1.05nF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:27.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNZ4C13
功率:245W
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2nF@25V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:24A
漏源电压:600V
阈值电压:5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNZ4C13
功率:245W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ4C13
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC390CH C5G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:818pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNZC17
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNZ4C13
功率:305W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.35nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZC17
功率:102W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:35A
类型:1个N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNZ4C13
功率:245W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: