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    类型: 1个N沟道
    栅极电荷: 60nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:80+
    商品信息
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50T 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50T 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N50T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:265mΩ@10V,9A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714-S12-AZ 起订180个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714-S12-AZ 起订180个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":131242}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:105W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 K3878 起订3个装
    MINOS Mosfet场效应管 K3878 起订3个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):K3878

    功率:350W

    阈值电压:3.95V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.53nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:23pF@25V

    导通电阻:970mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订25个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订25个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订154个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714(0)-S12-AZ 起订154个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3714(0)-S12-AZ

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3435-AZ 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3435-AZ 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3435-AZ

    功率:1.5W€84W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714-S12-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3714-S12-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":131242}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.2nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

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