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    类型: 1个N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60FTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:95pF@25V

    导通电阻:150mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:130W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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