采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BWAHZGT106
功率：200mW
阈值电压：2V@10μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：680mΩ@380mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH32M5LPSQ-13
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86252
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@75V
连续漏极电流：5A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€78.1W
阈值电压：4.5V@120μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.7nF@40V
连续漏极电流：12.5A€61A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：7.6mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
