品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
输入电容:424pF@5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:650pF@15V
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: