采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000，"9999"：63}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9540-100A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
输入电容：3.072nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
导通电阻：173mΩ@5A，10V
连续漏极电流：4.6A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9540-100A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
输入电容：3.072nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9540-100A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
输入电容：3.072nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000，"9999"：63}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9540-100A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
输入电容：3.072nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，170mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
连续漏极电流：4.6A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：8W
导通电阻：173mΩ@10V，5A
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
