采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：261}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2933-E
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF15N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3.095nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENXC7G
功率：60W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENXC7G
功率：60W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.6mΩ@10V，17A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF15N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3.095nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1908}
销售单位：个
规格型号(MPN)：H5N3007FL-M0-E#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：2.18nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@7.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1908}
销售单位：个
规格型号(MPN)：H5N3007FL-M0-E#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：2.18nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@7.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF15N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3.095nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS080N04SC
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
