品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N10D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:90mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3984-ZK-E1-AY
功率:20W€1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3984-ZK-E1-AY
功率:20W€1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:633pF@25V
阈值电压:3V@1mA
反向传输电容:61pF@25V
漏源电压:100V
功率:79W
导通电阻:80mΩ@10V,9A
包装清单:商品主体 * 1
库存: