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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：230mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1.8V@26μA
输入电容：45pF@25V
导通电阻：5Ω@230mA，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：350mΩ@2.5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：350mΩ@2.5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.4V@26μA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：800pC@5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@4V，100mA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：60V
栅极电荷：550pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.4V@26μA
功率：500mW
输入电容：43pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：280mA
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
