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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订34个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订34个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327 起订26个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327 起订26个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NWH6327

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@4.5V,1.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订27个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订27个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327 起订19个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327 起订19个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11μA

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@10V,2.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NH6327XTSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11μA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NH6327XTSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7μA

    栅极电荷:800pC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

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