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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.8nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@20V
导通电阻：5.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M6R7-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.161nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF@25V
导通电阻：5.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3150G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.4nF@15V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：177pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"2L+"：21000，"2M+"：66000，"3A+"：96000，"3B+"：51000，"3C+"：45000，"3D+"：37509，"3E+"：84000，"3F+"：57000，"3H+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03C0DPA-00#J53
功率：65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@4.5V
输入电容：11nF@10V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：20891}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0301DPB-00#J0
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
输入电容：5nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5205PND3FRATL
功率：65W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
