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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3003-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11.6nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：64pF@15V
导通电阻：33mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q(M
功率：700mW
阈值电压：2.3V@500μA
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@10V，22.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3003-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11.6nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：64pF@15V
导通电阻：33mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3003-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11.6nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：64pF@15V
导通电阻：33mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3003-3/TR
功率：700mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11.6nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：64pF@15V
导通电阻：33mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q(M
功率：700mW
阈值电压：2.3V@500μA
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@10V，22.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：165pF@10V
类型：1个N沟道
栅极电荷：4.1nC@5V
连续漏极电流：2.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
输入电容：180pF@10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
栅极电荷：3.3nC@5V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
输入电容：180pF@10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
栅极电荷：3.3nC@5V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025SNTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@5V
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR040N03HZGTL
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035XNTCL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
