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    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G100N03D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:5.595nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:659pF@50V

    导通电阻:2.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订12个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订12个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9418_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:4.305nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,18A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数500个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数500个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.4nC@10V

    输入电容:1.342nF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9418_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:4.305nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,18A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150G 起订33个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150G 起订33个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3150G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.4nF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:177pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9418_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:4.305nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,18A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数1000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数1000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.4nC@10V

    输入电容:1.342nF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数2000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数2000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.4nC@10V

    输入电容:1.342nF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5412_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5412_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数100个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数100个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.4nC@10V

    输入电容:1.342nF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9418_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:4.305nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,18A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.4nC@10V

    输入电容:1.342nF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G28N03D3 起订43个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G28N03D3 起订43个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G28N03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:20.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:891pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:144pF@15V

    导通电阻:6.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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