品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":204000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2300
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:70pF@10V
导通电阻:25mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: