采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.342nF@15V
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：25.4nC@10V
连续漏极电流：62A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@8V
输入电容：3.476nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@8V
输入电容：3.476nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@8V
输入电容：3.476nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@8V
输入电容：3.476nF@10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@Vgs=10V
输入电容：3.476nF@Vds=10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@Vds=10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@Vgs=10V
输入电容：3.476nF@Vds=10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@Vds=10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2135J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：65nC@Vgs=10V
输入电容：3.476nF@Vds=10V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：464pF@Vds=10V
导通电阻：2.5mΩ@4.5V，30A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N02T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
