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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：92nC@10V
输入电容：2.03nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.055nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
