采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H848NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€73W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2706}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H848NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€73W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@12V
连续漏极电流：24A€82A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86104
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@50V
连续漏极电流：7A€16A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32338C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
