品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3M
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N20X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":497}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N15N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:112A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@56A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":90,"21+":2500,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":90,"21+":2500,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP076N15N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:112A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@56A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: