品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS3D5N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:4V@122µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@30V
连续漏极电流:22A€127A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@24A,12V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS3D5N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:4V@122µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@30V
连续漏极电流:22A€127A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@24A,12V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€72W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:2.3V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:17A€86A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: