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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    连续漏极电流: 100A
    当前匹配商品:400+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R8-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9710pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-60YLX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R1-60YLX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R1-60YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7853pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R8-60EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R8-60EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:73.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5520pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD034N06N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@93µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8079pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订392个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订392个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R5-60YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R5-60YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R5-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3501pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC019N06NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC019N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.3V@74µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y7R2-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5026pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4426pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R2-60YLX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R2-60YLX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R2-60YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:195W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:39.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6319pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y6R0-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y6R0-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y6R0-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4021pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y7R2-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5026pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N06NSTATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014N06NSTATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:3.3V@120µA

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8125pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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