品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: