采购热线 400-661-9010
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7SE8228XKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：0，"22+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：158，"18+"：1490}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW60R600P7SE8228XKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P7SE8228XKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
