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    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订3000个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订3000个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订627个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订627个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":158,"18+":1490}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":158,"18+":1490}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF770N15A 起订504个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF770N15A 起订504个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF770N15A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:765pF@75V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订627个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订627个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"17+":158,"18+":1490}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:363pF@400V

    阈值电压:4V@80µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    功率:21W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":158,"18+":1490}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1000个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R600P7XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R600P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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