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    行业应用
    连续漏极电流
    20A
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 20A
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60AE-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60AE-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB22N60AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1451pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF20N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP20N85X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP20N85X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP20N85X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@500mA,10V

    漏源电压:850V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订2128个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订2128个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60FD 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60FD

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNX 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNX 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020FNJTL

    工作温度:150℃

    功率:304W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€22W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4576 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4576 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4576

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:951pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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