品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS169H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@50µA
栅极电荷:2.8nC@7V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:68pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS131H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@56µA
栅极电荷:3.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@25V
连续漏极电流:110mA
类型:N沟道
导通电阻:14Ω@100mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS169IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@50µA
栅极电荷:2.1nC@7V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:2.9Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1V@56µA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:14Ω@100µA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3135K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:72mA
类型:N沟道
导通电阻:35Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2124K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:134mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@120mA,4.5V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND01K1-G
工作温度:-25℃~125℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@5V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,0V
漏源电压:9V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS131H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@56µA
栅极电荷:3.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@25V
连续漏极电流:110mA
类型:N沟道
导通电阻:14Ω@100mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123L
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2404K-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1V@56µA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:14Ω@100µA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: