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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 40A
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP6030BL 起订573个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP6030BL 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":571,"19+":149}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP6030BL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€36W

    阈值电压:2.3V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€36W

    阈值电压:2.3V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR460DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR460DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR460DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR460DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR460DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR460DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD40N03S4L08ATMA1 起订580个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD40N03S4L08ATMA1 起订580个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":11432}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD40N03S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD090N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R003NL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€36W

    阈值电压:2.3V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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