采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：823}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
